오전자, 3나노 GAA 양산 돌입으로 성능 23 향상

삼성전자는 19일 기흥 반도체 라인에서 3세대 GAA게이트올어라운드 기반 3나노 칩 양산을 시작했다. 기존 5나노 대비 성능은 23% 향상되고 전력 소비는 45% 감소한다. 칩 면적도 16% 줄어 원가 경쟁력이 높아졌다. 경쟁사인 TSMC가 내년 하반기 3나노 GAA 양산을 계획한 것과 비교하면 6개월 이상 앞서는 것이다. 삼성전자는 AI 가속기, 고성능 모바일AP 등을 타깃으로 수주 활동을 강화할 방침이다.

대신증권 이수림 연구원은 “3나노 GAA 기술력이 입증되면 빅테크 기업 수주로 이어질 것”이라고 분석했다.

이번 성과는 삼성전자가 AI 반도체 수주 경쟁에서 경쟁사에 비해 유리한 입지를 확보했다는 점에서 의미가 있다.

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